(тюрк. алмас, от греч. adamas - несокрушимый), природный и синтетич. кристалл углерода. В природе встречается в виде отд. монокристаллов или скоплений крист. зёрен и агрегатов. Различают наиб. чистые и совершенные ювелирные А. и техн. А. Точечная группа симметрии m3m, плотн. 3,07-3,56 г/см3. При T>1000В°С происходит превращение А. в графит. Атомы С в структуре А. связаны прочной ковалентной связью с четырьмя соседними атомами, расположенными в вершинах тетраэдра (рис.).
Этим, а также малыми межат. расстояниями (0,154 нм) объясняются св-ва А., в частности его уникальная твёрдость (10 по шкале Мооса) и хим. стойкость (А. растворяется в расплавах калиевой и натриевой селитры и Na2CO3 при T==500В°С, на воздухе сгорает при Т =850-1000В°С, в кислороде - при T=720-800В°С). А. имеет большую теплопроводность (в 5 раз большую, чем у Си); при комнатной темп-ре диамагнитен, магнитная восприимчивость m=0,49•10-6 ед. СГС при 18В°С.
Цвет и прозрачность А. различны. Большинство кристаллов избирательно поглощают эл.-магн. излучение в ИК области (l=8-10 мкм) и УФ области (l=0,3 мкм).
Они наз. А. 1-го типа. А. 2-го типа прозрачны при l=0,22-1000 мкм. Различие спектроскопич. св-в обусловлено, по-видимому, содержанием примесей (гл. обр. N) и тонкими различиями крист. строения. Показатель преломления n= 2,417 для l=0,589 мкм, диэлектрическая проницаемость e=5,7. Нек-рые кристаллы обладают двойным лучепреломлением.
Уд. электрич. сопротивление А. 1-го типа r=1012- 1014 Ом•м (диэлектрик). Нек-рые А. 2-го типа имеют r=0,5•10 Ом•м. Они явл. примесными ПП p-типа (встречаются кристаллы А. с r=10-2 Ом•м). А.- ПП, обладают большой шириной запрещённой зоны и уникальной теплопроводностью. У нек-рых неполупроводниковых кристаллов 2-го типа электропроводность резко возрастает при облучении их заряж. ч-ми и g-квантами.
Синтетич. А. получают из графита и углеродсодержащих в-в. Получен в сер. 1950-х гг. (США, Швеция, ЮАР), в СССР - в 1960 в нн-те Физики высоких давлений АН СССР. Давление равновесия термодинамического pp между А. и графитом при 0 К равно 108 Па и возрастает с ростом темп-ры Т. При р<рр стабилен="" графит,="" при="" р="">рр-А. Однако превращение А. в графит при рр<р происходит="" с="" заметной="" скоростью="" только="" при="" достаточно="" высокой="" темп-ре.="" поэтому="" при="" атм.="" давлении="" и="" темп-ре="" до="" 1000в°с="" а.="" «живёт»="" неограниченно="" долго="" (мета-стабильное="" состояние).="" минимальные="" параметры="" превращения="" графита="" в="" а.:="" темп-pa="" t="1100В°С" и="" давление="" р="4ГПа" (см.="" давление="" высокое).="" для="" облегчения="" синтеза="" используются="" различные="" агенты="" (fe,="" ni="" и="" их="" сплавы),="" способствующие="" разрушению="" или="" деформации="" кристаллической="" решётки="" графита="" или="" снижающие="" энергию,="" необходимую="" для="" её="" перестройки.="" после="" создания="" необходимого="" давления="" смесь="" нагревают="" до="" темп-ры="" синтеза,="" а="" затем="" охлаждают="" до="" комнатной="" темп-ры="" и="" снимают="" давление.="" в="" эксперим.="" физике="" а.="" применяется="" для="" резки="" и="" полировки="" кристаллов,="" измерения="" изменений="" темп-ры,="" как="" детекторы="" яд.="" излучений="" (кристаллический="" счётчик)="" и="" др.="">
В закладки будет добавлено толкование к данному слову в данном словаре. Закладки сохраняются на Вашем компьютере в cookie. Если Ваш браузер не поддерживает cookie или такая возможность отключена, то сохранение закладок будет не возможно.
Этим, а также малыми межат. расстояниями (0,154 нм) объясняются св-ва А., в частности его уникальная твёрдость (10 по шкале Мооса) и хим. стойкость (А. растворяется в расплавах калиевой и натриевой селитры и Na2CO3 при T==500В°С, на воздухе сгорает при Т =850-1000В°С, в кислороде - при T=720-800В°С). А. имеет большую теплопроводность (в 5 раз большую, чем у Си); при комнатной темп-ре диамагнитен, магнитная восприимчивость m=0,49•10-6 ед. СГС при 18В°С.Цвет и прозрачность А. различны. Большинство кристаллов избирательно поглощают эл.-магн. излучение в ИК области (l=8-10 мкм) и УФ области (l=0,3 мкм).Они наз. А. 1-го типа. А. 2-го типа прозрачны при l=0,22-1000 мкм. Различие спектроскопич. св-в обусловлено, по-видимому, содержанием примесей (гл. обр. N) и тонкими различиями крист. строения. Показатель преломления n= 2,417 для l=0,589 мкм, диэлектрическая проницаемость e=5,7. Нек-рые кристаллы обладают двойным лучепреломлением.Уд. электрич. сопротивление А. 1-го типа r=1012- 1014 Ом•м (диэлектрик). Нек-рые А. 2-го типа имеют r=0,5•10 Ом•м. Они явл. примесными ПП p-типа (встречаются кристаллы А. с r=10-2 Ом•м). А.- ПП, обладают большой шириной запрещённой зоны и уникальной теплопроводностью. У нек-рых неполупроводниковых кристаллов 2-го типа электропроводность резко возрастает при облучении их заряж. ч-ми и g-квантами.Синтетич. А. получают из графита и углеродсодержащих в-в. Получен в сер. 1950-х гг. (США, Швеция, ЮАР), в СССР - в 1960 в нн-те Физики высоких давлений АН СССР. Давление равновесия термодинамического pp между А. и графитом при 0 К равно 108 Па и возрастает с ростом темп-ры Т. При р<рр стабилен="" графит,="" при="" р="">рр-А. Однако превращение А. в графит при рр<р происходит="" с="" заметной="" скоростью="" только="" при="" достаточно="" высокой="" темп-ре.="" поэтому="" при="" атм.="" давлении="" и="" темп-ре="" до="" 1000в°с="" а.="" «живёт»="" неограниченно="" долго="" (мета-стабильное="" состояние).="" минимальные="" параметры="" превращения="" графита="" в="" а.:="" темп-pa="" t="1100В°С" и="" давление="" р="4ГПа" (см.="" давление="" высокое).="" для="" облегчения="" синтеза="" используются="" различные="" агенты="" (fe,="" ni="" и="" их="" сплавы),="" способствующие="" разрушению="" или="" деформации="" кристаллической="" решётки="" графита="" или="" снижающие="" энергию,="" необходимую="" для="" её="" перестройки.="" после="" создания="" необходимого="" давления="" смесь="" нагревают="" до="" темп-ры="" синтеза,="" а="" затем="" охлаждают="" до="" комнатной="" темп-ры="" и="" снимают="" давление.="" в="" эксперим.="" физике="" а.="" применяется="" для="" резки="" и="" полировки="" кристаллов,="" измерения="" изменений="" темп-ры,="" как="" детекторы="" яд.="" излучений="" (кристаллический="" счётчик)="" и="" др.="">