(от греч. anisos - неравный и tropos - направление), зависимость физ. св-в (механич., оптич., магн., электрич. и т. д.) в-ва от направления. Естеств. А.- характерная особенность кристаллов; напр.. пластинка слюды легко расщепляется на тонкие листочки только вдоль оп-
Рис. 1. Сечения координатными плоскостями указат. поверхностей (оси x1 x2, x3) коэфф. растяжения (внутр. поверхность) и коэфф. кручения (внеш. поверхность) кристалла сегнетовой соли.
редел. плоскости (параллельно этой плоскости силы сцепления между ч-цами слюды наименьшие). Не анизотропны, т. е. не зависят от направления, лишь немногие св-ва кристаллов, напр. плотность и уд. теплоёмкость. А. физ. св-в кристалла тесно связана с их симметрией и проявляется тем сильнее, чем ниже симметрия кристаллов.
Рис. 2. Сечения указат. поверхностей модуля сдвига (а), модуля Юнга (б) и пьезоэлектрич. коэффициента (в) кристалла кварца.
Напр., при распространении света в прозрачных кристаллах (кроме кристаллов с кубич. решёткой) свет испытывает двойное лучепреломление и поляризуется различно в разных направлениях. При этом в кристаллах с гексагональной, тригональной и тетрагональной структурами (кварц, рубин, кальцит) двойное лучепреломление максимально в направлении, перпендикулярном к гл. оси симметрии и отсутствует вдоль этой оси (см. КРИСТАЛЛООПТИКА).
А. многих св-в кристалла, напр. коэфф. линейного теплового расширения а, электропроводности, упругих св-в, характеризуют значениями соответствующих констант вдоль гл. оси симметрии (индекс ||) и перпендикулярно ей (+).
Табл. 1. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ ЛИНЕЙНОГО РАСШИРЕНИЯ НЕКОТОРЫХ КРИСТАЛЛОВ
А. упругих св-в оценивают по гл. значениям модулей упругости (см. табл. 2).
Табл. 2. ГЛАВНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ МОДУЛЕЙ УПРУГОСТИ НЕКОТОРЫХ КУБИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ ВДОЛЬ ТРЁХ РЁБЕР КУБА, 1011 дин/см2
Для кристаллов более низкой симметрии полное описание упругих св-в требует знания большего числа компонент модулей упругости по разным направлениям, напр. для цинка или кадмия - пяти, а для триглицинсульфата или винной кислоты - тринадцати компонент, разл. по величине и знаку. Об А. магн. св-в см. в ст. (см. МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ).
Математически анизотропные св-ва кристаллов характеризуются векторами и тензорами. Напр., коэфф. пироэлектрич. эффекта (см. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСТВО) - вектор; электрич. сопротивление, диэлектрич. и магн. проницаемости, теплопроводность - тензоры 2-го ранга; коэфф. пьезоэлектрич. эффекта (см. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСТВО) - тензор 3-го ранга; модули упругости - тензоры 4-го ранга. Графически А. изображают с помощью указательных поверхностей (индикатрис, рис. 1,2).
Причина А. кристаллов - упорядоченное расположение в них ч-ц.
А. нек-рых жидкостей, особенно жидких кристаллов, объясняется асимметрией и определ. ориентацией молекул.
оликрист. материалы в целом изотропны. А. св-в в них проявляется, если в результате обработки (отжига, прокатки и т. п.) в них создана текстура. Так, при прокатке листовой стали зёрна металла ориентируются в направлении прокатки, в результате чего возникает А. (гл. обр. механич. св-в).
А. наблюдается также и в некрист. в-вах, у к-рых существует естеств. (древесина и др.) или искусств. текстура. Напр., при закалке стекла можно получить А., к-рая влечёт за собой его упрочнение. Искусственная оптич. А. возникает в кристаллах и в изотропных средах под действием электрич, поля (см. ПОККЕЛЬСА ЭФФЕКТ,КЕРРА ЭФФЕКТ), магн. поля (см. КОТТОНА - МУТОНА ЭФФЕКТ), механич. воздействия (см. ФОТОУПРУГОСТЬ).
В закладки будет добавлено толкование к данному слову в данном словаре. Закладки сохраняются на Вашем компьютере в cookie. Если Ваш браузер не поддерживает cookie или такая возможность отключена, то сохранение закладок будет не возможно.
Рис. 1. Сечения координатными плоскостями указат. поверхностей (оси x1 x2, x3) коэфф. растяжения (внутр. поверхность) и коэфф. кручения (внеш. поверхность) кристалла сегнетовой соли.редел. плоскости (параллельно этой плоскости силы сцепления между ч-цами слюды наименьшие). Не анизотропны, т. е. не зависят от направления, лишь немногие св-ва кристаллов, напр. плотность и уд. теплоёмкость. А. физ. св-в кристалла тесно связана с их симметрией и проявляется тем сильнее, чем ниже симметрия кристаллов.
Рис. 2. Сечения указат. поверхностей модуля сдвига (а), модуля Юнга (б) и пьезоэлектрич. коэффициента (в) кристалла кварца.Напр., при распространении света в прозрачных кристаллах (кроме кристаллов с кубич. решёткой) свет испытывает двойное лучепреломление и поляризуется различно в разных направлениях. При этом в кристаллах с гексагональной, тригональной и тетрагональной структурами (кварц, рубин, кальцит) двойное лучепреломление максимально в направлении, перпендикулярном к гл. оси симметрии и отсутствует вдоль этой оси (см. КРИСТАЛЛООПТИКА).А. многих св-в кристалла, напр. коэфф. линейного теплового расширения а, электропроводности, упругих св-в, характеризуют значениями соответствующих констант вдоль гл. оси симметрии (индекс ||) и перпендикулярно ей (+).Табл. 1. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ ЛИНЕЙНОГО РАСШИРЕНИЯ НЕКОТОРЫХ КРИСТАЛЛОВ
А. упругих св-в оценивают по гл. значениям модулей упругости (см. табл. 2).Табл. 2. ГЛАВНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ МОДУЛЕЙ УПРУГОСТИ НЕКОТОРЫХ КУБИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ ВДОЛЬ ТРЁХ РЁБЕР КУБА, 1011 дин/см2
Для кристаллов более низкой симметрии полное описание упругих св-в требует знания большего числа компонент модулей упругости по разным направлениям, напр. для цинка или кадмия - пяти, а для триглицинсульфата или винной кислоты - тринадцати компонент, разл. по величине и знаку. Об А. магн. св-в см. в ст. (см. МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ).Математически анизотропные св-ва кристаллов характеризуются векторами и тензорами. Напр., коэфф. пироэлектрич. эффекта (см. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСТВО) - вектор; электрич. сопротивление, диэлектрич. и магн. проницаемости, теплопроводность - тензоры 2-го ранга; коэфф. пьезоэлектрич. эффекта (см. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСТВО) - тензор 3-го ранга; модули упругости - тензоры 4-го ранга. Графически А. изображают с помощью указательных поверхностей (индикатрис, рис. 1,2).Причина А. кристаллов - упорядоченное расположение в них ч-ц.А. нек-рых жидкостей, особенно жидких кристаллов, объясняется асимметрией и определ. ориентацией молекул.оликрист. материалы в целом изотропны. А. св-в в них проявляется, если в результате обработки (отжига, прокатки и т. п.) в них создана текстура. Так, при прокатке листовой стали зёрна металла ориентируются в направлении прокатки, в результате чего возникает А. (гл. обр. механич. св-в).А. наблюдается также и в некрист. в-вах, у к-рых существует естеств. (древесина и др.) или искусств. текстура. Напр., при закалке стекла можно получить А., к-рая влечёт за собой его упрочнение. Искусственная оптич. А. возникает в кристаллах и в изотропных средах под действием электрич, поля (см. ПОККЕЛЬСА ЭФФЕКТ,КЕРРА ЭФФЕКТ), магн. поля (см. КОТТОНА - МУТОНА ЭФФЕКТ), механич. воздействия (см. ФОТОУПРУГОСТЬ).