в отличие от гетероперехода - контакт двух областей с разными типами проводимости или концентрациями легирующей примеси в одном и том же кристалле полупроводника. Различают p - n-переходы, в к-рых одна из двух контактирующих областей легирована донорами, а другая - акцепторами (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), n+-n-переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разл. степени) и p+-p-переходы (обе области легированы акцепторной примесью).