полупроводниковый диод, предназнач. для работы в импульсном режиме; характеризуется малой длительностью (10^-7 - 10^-10 с) переходных процессов при его переключении (изменении полярности подаваемых импульсов). Высокое быстродействие И. д. достигается гл. обр. уменьшением площади р - п-перехода, использованием выпрямляющих Шоттки-контактов (см. Контакт металл - полупроводник), а также введением в ПП примесей (преим. золота). Наибольшее распространение получили кремниевые И. д. - пла-нарно-эпитаксиальные (с базовой областью, легированной золотом), диоды с барьером Шоттки и микросплавные ПП диоды. И. д. применяются в ло-гич. схемах, схемах управления запоминающих устройств ЭВМ и др.