ионное внедрение, - введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем выше энергия ионов (ионы с энергиями 10 - 100 кэВ проникают на 0,01 - 1 мкм). И. л. наиболее широко используется при введении примесей в ПП монокристаллы для создания требуемой примесной электрич. проводимости. И. л. позволяет создать в ПП кристалле электронно-дырочный переход (см. р - п-переход) на малой глубине, что увеличивает, напр., предельную частоту транзисторов. См. рис.

Установка для ионного легирования: 1 - нить накала; 2 - подача ионизируемого вещества; 3 - анод; 4 - магниты; 5 - ускоритель ионов; 6 - система электростатического отклонения; 7 - мишень