CdSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка ромбическая (а= 0,6471 нм, b =0,8253 нм, с =0,8526 нм, z= 8, пространств. группа Рbса); т. пл. 456 °С; плотн. 6,78 г/см ³; С ⁰_p 45,75 Дж/(моль. К); DH⁰ _пл 32,1 кДж/моль, DH⁰ _обр - 25,5 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 94,7 Дж/(моль. К). К. а. полупроводник р-типа; при 300 К ширина запрещенной зоны 0,56 эВ, подвижность носителей тока 1980 см ²/(B.c); термоэдс +600 мкВ/К. На воздухе устойчив, в воде и орг. р-рителях не раств., разлагается минер. к-тами. Получают К. а. сплавлением элементов в инертной атмосфере. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского. К. а. - полупроводниковый материал для термоэлектрич. приборов и фотоэлементов. Токсичен. Известны метастабильные К. a. Cd₄Sb₃ и Cd₃Sb₂, также имеющие полупроводниковые св-ва. П. И. Федоров.