CdSe, темно-красные кристаллы с гексагон. решеткой типа вюрцита ( а =0,430 нм, с= 0,701 нм, z = 2, пространств. группа Р6тс); известны также модификации: метастабильная кубическая типа сфалерита ( а =0,605 нм, z = 4) и существующая при высоких давлениях кубическая типа NaCl (a= 0,549 нм). При 1300 МПа и 1252 °С сосуществуют жидкий и твердый CdSe с кристаллич. структурами типов вюрцита и NaCl. Для К. с. с кристаллич. решеткой типа вюрцита: т. пл. 1263°С; плотн. 5,81 г/см ³; С ⁰_p 49,41 Дж/(моль. К); DH⁰ _пл 43,9 кДж/молъ, DH⁰ _возг 212 кДж/моль, DH⁰ _обр - 143,1 кДж/моль, DG⁰ _обр - 139,7 кДж/молъ; S⁰₂₉₈82,8 Дж/(моль. К); ур-ние температурной зависимости давления пара (в Па): lgp= - 11090/T+ 12,01 (989-1325 К); температурный коэф. линейного расширения 10^-6 К ^-1. К. с. - полупроводник; при 300 К ширина запрещенной зоны 1,74 эВ, эффективная масса электронов проводимости m_e = 0,13m₀, дырок т _р =0,45m₀ (m₀ - масса своб. электрона), подвижность электронов 580 см ²/(В. с). К. с. при испарении диссоциирует. В К. с. растворяется Cd, р-римость (в ат. %): 0,0048 (697 °С), 0,025 (879 °С), 0,060 (1047 °С). К. с. не раств. в воде, разлагается соляной к-той, НNO₃ и H₂SO₄. Получают К. с. из Cd и Se сплавлением или в газовой фазе, осаждением из р-ра CdSO₄ под действием H₂Se, р-цией CdS с H₂SeO₃, взаимод. между кадмий- и селенорг. соединениями. Монокристаллы выращивают осаждением из газовой фазы, методом Бриджмена и зонной плавкой. К. с. -активная среда в полупроводниковых лазерах, материал для изготовления фоторезисторов, фотодиодов, солнечных батарей, пигмент для эмалей, глазурей и художеств. красок. При нарушении стехиометрии или введения в кристаллы CdSe посторонних примесей, чаще всего элементов I и VII гр. периодич. системы (напр., Сu, Сl), К. с. приобретает фоточувствит. св-ва и используется в мишенях видиконов (кадмиконов), работающих в видимой области спектра, а также в электрофотографии. Токсичен. П. В. Ковтуненко, Я. Л. Хариф.