биполярный транзистор, в к-ром используется явление лавинного пробоя в ПП - лавинного умножения силы тока в коллекторном переходе. Образование подвижных носителей в области объёмного заряда коллектора компенсирует их потери в Л. т. на инжекцию и перенос, и коэфф. усиления по току а устанавливается равным или больше 1. Л. т. отличаются от обычных транзисторов наличием отрицат. сопротивления участка эмиттер - коллектор. Для изготовления Л. т. используют кремниевые и германиевые эпитаксиальные структуры р⁺ - р- и n⁺ - n-типа; базовая область создаётся методом диффузии или имплантации. Л. т. применяют в импульсных устройствах для формирования мощных импульсов силы тока (до десятков А) со временем нарастания менее 10^-9 с.