заряда в полупроводниках, электроны проводимости в полупроводниках n-типа и дырки в полупроводниках р-типа. В невырожденном собственном ПП равновесные концентрации эл-нов n и дырок р равны: n=р=ni??(NcNv)exp(-?g/2kT), где Nc и Nv - эфф. плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, ?g - ширина запрещённой зоны. Величина ni зависит только от темп-ры Т и давления. В примесных ПП n и p связаны соотношением: np=n2i. Т. о., при увеличении равновесной концентрации основных носителей (напр., при легировании ПП соответствующей примесью) концентрация неосновных носителей убывает и наоборот. В неравновесных условиях (напр., при освещении ПП) может увеличиваться концентрация как основных, так и неосновных носителей. Основные носители определяют тип проводимости ПП (электронный или дырочный). В равновесных условиях концентрация неосновных носителей обычно мала (<-ni). внеш.="" воздействиями="" (освещением,="" облучением="" быстрыми="" ч-цами,="" инжекцией="" носителей="" заряда="" и="" т.="" п.)="" её="" можно="" увеличить="" во="" много="" раз.="" на="" этом="" основана="" работа="" большинства="" полупроводниковых="" приборов.="" концентрацию="" основных="" носителей="" определяют,="" измеряя="" электропроводность="" и="" коэфф.="" холла="" (см.="" холла="" эффект),="" а="" также="" магнитооптич.="" методами.="" концентрацию="" неосновных="" носителей="" определяют,="" измеряя="" ток="" через="" электронно-дырочный="" переход="" и="">
В закладки будет добавлено толкование к данному слову в данном словаре. Закладки сохраняются на Вашем компьютере в cookie. Если Ваш браузер не поддерживает cookie или такая возможность отключена, то сохранение закладок будет не возможно.