полупроводниковый диод, предназнач. для работы в параметрич, усилителях СВЧ диапазона в качестве элемента с электрически управляемой ёмкостью. Действие прибора осн. на зависимости ёмкости перехода в ПП от приложенного внеш. напряжения, П, СВЧ д. работают в области обратных (до неск. В) и малых прямых (до 0,5 В) напряжений. Осн. параметр - постоянная времени t = С_п*r_s (где С_п - ёмкость перехода, а r_s - суммарное активное сопротивление базы диода и контактов) достигает 0,1 - 0,5 пс (при этом С_п = 0,01 - 1 пФ). Наиболее распространены П. СВЧ д. на основе контакта металл - полупроводник (преим. диоды с барьером металл - GaAs), изготовленные методами диффузии и вплавления примесей, эпитаксиального наращивания и др. П. СВЧ д. применяются во входных каскадах приёмных систем спутниковой связи, радиолокац. линий связи, в радиометрах для космич. исследовании и т. д.

Параметры с нелинейными индуктивностями: 1 - 4 - тороидальные ферри-товые сердечники; L₁ и L₂ - нелинейные индуктивности;С - конденсатор; R - резистор