полупроводниковый диод с р - i - > >; n-структурой, отличающейся от р - n-структуры тем, что между хорошо проводящими <> и n-областями ПП кристалла имеется достаточно широкая область с низкой проводимостью, близкой к собств. проводимости ПП (i-область).Обычно изготовляется методом последоват. эпитаксиального наращивания высокоомного (слаболегир.) и ниэкоомного (сильно-легир.) слоев на низкоомную (чаще всего кремниевую) подложку; используется также и диффузионная технология. Наличие i-области обеспечивает повыш. быстродействие П.-д. в режиме переключения (времена релаксации до 10^-10 с), а также высокое значение напряжения пробоя и малую паразитную ёмкость прибора. П.-д. широко применяются в качестве высоковольтных сильноточных выпрямит. диодов, переключат. и ограничит. СВЧ диодов, лавинно-пролётных диодов, фотодиодов, ПП детекторов ядерных излучении и др.