(от фото... и диод) - полупроводниковый диод, обладающий св-вом односторонней фотопроводимости, возникающей при воздействии на него оптич. излучения. Работа Ф. осн. на поглощении света вблизи области ПП перехода (р - п-перехода, гетероперехода или контакта металл - полупроводник), в результате чего генерируются новые носители заряда (электронно-дырочные пары). В качестве Ф. чаще всего используют кремниевые пин-диоды, к-рые обеспечивают необходимую чувствительность и быстродействие прибора. Спектральная чувствительность Ф. (отношение фототока к потоку падающего монохроматич. излучения) обычно составляет 0,5 - 1 А/Вт; область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3 - 15 мкм; инерционность (время установления фототока) достигает 0,1 не. Ф. применяется в устройствах оптоэлектроники, автоматики, вычислит. и измерит. техники как фотоэлемент - для получения фотоэдс (вентильный режи м), а также для управления током в электрич. цепях (фото диодный режим). См. рис.

Схема кремниевого планарного фотодиода: 1 - кремниевый кристалл п-типа; 2 - диффузионная р-область; 3 - омические контакты; 4 - антиотражающее покрытие